Millenium-Technologiepreis für IGBT-Erfinder

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    Der IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ein Bipolartransistor mit einem isoliertem Gate statt der Basis-Elektrode und somit eine Kreuzung aus Bipolartransistor und MOSFET, ist außerhalb der Leistungselektronik wenig bekannt. Er hat schon vor Jahrzehnten ältere, weniger flexible Halbleiter wie den Thyristor abgelöst. Inzwischen gibt es auch neue, schnellere Leistungshalbleiter auf Basis von GaN (Nicht nur für HF-Anwendungen interessant: GaN-HEMTs – FUNKAMATEUR 9/2017) und SiC, doch der silizium-basierte IGBT ist nach wie vor das Arbeitspferd der Leistungselektronik.

    Der Millennium-Technologiepreis 2024 wurde deshalb nun Professor Bantval Jayant Baliga von der North Carolina State University verliehen. Mit dem mit 1 Mio. € dotierten Preis wird Professor Baligas führende Rolle bei der Erfindung, Entwicklung und Vermarktung des IGBT gewürdigt. Seit seiner Einführung in den 1980er-Jahren hat der IGBT eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung der Energieeffizienz und der Verringerung der Emissionen gespielt und die Energiebranche verändert.

    In den letzten 40 Jahren hat er maßgeblich dazu beigetragen, die weltweiten Kohlendioxidemissionen um mehr als 82 Gigatonnen zu senken; das entspricht dem Ausgleich sämtlicher menschlicher Emissionen für drei Jahre, basierend auf 30-Jahres-Durchschnittswerten.

    DL2MCD

    Quelle: https://www.funkamateur.de/nachrichtendet…enium-igbt.html